产品|公司|采购|资讯

静电放电发生器(HBM/MM部分)EDS 10IC

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称苏州泰思特电子科技有限公司-EMC测试仪器
  • 品       牌
  • 型       号EDS10IC
  • 所  在  地苏州市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2025/7/9 8:43:24
  • 访问次数21
产品标签:

在线询价收藏产品 点击查看电话

联系我们时请说明是 k8凯发 上看到的信息,谢谢!

    苏州泰思特电子科技有限公司位于*开发区--苏州高新区,集科研、设计、制造、销售、服务为一体的技术密集型企业。公司分为电磁兼容(EMC)测试仪器高压冲击(HIGH VOLTAGE)试验实验室系统集成三大业务主体。目前,在南京设有研发中心,致力于EMC技术深度研究和实践应用的技术开发,在北京、深圳设有办事处,积极为客户提供专业细致服务,努力打造*品牌。如今泰思特公司,在行业内已发展成为国内*规模和影响力的专业厂商。

     苏州泰思特以“诚信”、“创新”、“共赢”为公司宗旨,以推广和应用为己任,以“3ctest”为公司主打品牌,积极开拓国内外市场,广泛开展与高校、国家科研机构、计量检测单位以及公司采取多方面合作。同时,近年来公司也 积极参与国家标准及行业标准的制定和贯标活动。我们将持续不断地提升产品技术含量,关注和研究*的测量测试技术的发展和变化,为“中国创造”尽一份微薄之力.。

     公司是通过 ISO90012000质量体系认证的企业,使得 “3ctest”产品在科研、生产、检验、试验、调试等生产过程各个环节中,使产品质量得到充分保证。目前产品广泛用于电力系统、家用电器、自动化控制、仪器仪表、消费电子、汽车电子、通讯、安防监控、LED照明、医疗器械,新能源行业、航空电子设备和*部门等企业、EMC检测认证机构。产品不仅为大陆*企业、合资和独资企业及认证检测机构所采用,还远销香港和中国台湾及东南亚地区。

     苏州泰思特公司始终把*产品作为对未来市场竞争的积极把握,从产品使用到测试、对策及解决方案,我们将一如既往的积极配合客户所需,有效的协助厂商顺利通过产品认证(CE  UL  CCC )以及自身产品的可靠性要求,我们真诚地期待与您的合作。

静电放电发生器,雷击浪涌发生器,脉冲群发生器,工频磁场发生器,噪声模拟发生器,EMI传导噪声分析仪,脉冲磁场发生器,冲击电流发生器,冲击电压发生器
EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计,可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试
静电放电发生器(HBM/MM部分)EDS 10IC 产品信息
EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计,可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求,同时满足上述所有标准中最严酷等级的静电电压要求。

特点:
>全新三代控制平台 ,触摸屏智能化控制。
>电压5V,1V步进精准调节电压
>可完成单次或自动放电测试,可设置次数、频率等参数。

测试连接示意图1  EDS-HBM:

测试连接示意图2  EDS-MM:


  • Human Body Model (HBM)
  • Machine Model (MM)
  • ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
  • JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
  • ANSI /ESD-STM5.1 2007
  • MIL-STD-883G 28 Feb.2006
  • ANSI/JEDEC JS-001-2010
  • JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

技术参数

HBM 短路电流参数

放电电容

100 pF

放电电阻

1500 Ω

峰值电流Ips

0.17 A +10% @250 V

0.33 A +10% @500 V

0.67 A +10% @1000 V

1.33 A +10% @2000 V

2.67 A +10% @4000 V

上升时间

2 ns~10 ns

脉冲宽度

150 ns + 20 ns

振铃幅度

<15%峰值电流

HBM 500欧电阻电流参数

峰值电流Ipr

375 mA~550 mA @ 1000V

1.5 A~2.2 A @ 4000V

Ipr/Ips

63%

上升时间

5 ns~25 ns

MM短路电流参数

放电电容

200 pF

放电电阻

0 Ω

峰值电流Ip1

0.44 A +20% @25 V

0.88 A +20% @50 V

1.75 A +10% @100 V

3.5 A +10% @200 V

7.0 A +10% @400 V

Ip2/Ip1

67%~90%

周期

66 ns~90 ns

MM 500欧电阻电流参数

峰值电流Ipr

0.85 A~1.2 A @ 400 V

100 ns电流值 I100

0.23 A~0.40 A @ 400 V

I200/I100

30%~55%

通用参数

输出电压

HBM 5 V~8000 V (5%+5V)

MM  5 V~1000V (5%+5V)                                

极性

正、负或正负交替

频率

0.1 Hz~5 Hz

触发次数

1~999

触发方式

自动,手动,外触发

输入电源

AC 100 V ~240 V +10% 

50 Hz /60 Hz

环境温度

15~35

储藏温度

-10~50

相对湿度

25%~75%

尺寸

450 mm x320 mm x190 mm(xx)

重量

10 kg


附件

1.测试座 IC-DIP40

 

放置IC芯片使用

2.测试线

EDS 10IC-line1/line2

 

测试连接使用

说明书、电源线、接地线

选配件

测试座SCTS TO-56

 

放置TO56封装被测设备使用


关键词:晶体管
返回首页 产品对比

提示

×

*您想获取产品的资料:

以上可多选,勾选其他,可自行输入要求

个人信息:

Copyright gkzhan.com , all rights reserved

k8凯发-工业4.0时代智能制造领域“互联网+”服务平台

对比栏